ELTRON

 


Модули IGBT типа SIL

Тип
Ток коллектора
Ic [A]
Напряжение эмитер-коллектор Vces [V]
Pабочие параметры
Применение
Данные по каталогу
MP6750
10
600

  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • выводы изолированны от корпуса
  • низкое напряжение насыщения
  • высокая частота коммутации

  • коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MP6759.pdf
    MP6750
    15
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • выводы изолированны от корпуса
  • низкое напряжение насыщения
  • высокая частота коммутации
  • коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MP6750.pdf
    MP6752
    20
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • выводы изолированны от корпуса
  • низкое напряжение насыщения
  • высокая частота коммутации
  • коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MP6752.pdf
    MP6757
    25
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • выводы изолированны от корпуса
  • низкое напряжение насыщения
  • высокая частота коммутации
  • коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MP6757.pdf