ELTRON - Toshiba

Модули IGBT с малым напряжением насыщения

Тип	Ток коллектора Ic [A]	Напряжение эмитер-коллектор Vces [V]	Pабочие параметры	Применение	Данные по каталогу
MG300Q2YS61	300	1200	2 транзистора IGBT в одном корпусе используются кремниевые транзисторы с N-каналом высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max) низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.6 В (max выводы изолированны от корпуса	коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей	MG300Q2YS61.pdf
MG600Q1US61	600	1200	1 транзистор IGBT в одном корпусе используются кремниевые транзисторы с N-каналом высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max) низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.6 В (max выводы изолированны от корпуса	коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей	MG600Q1US61.pdf