ELTRON
 


Модули IGBT в компактных корпусах
Тип
Ток коллектора Ic [A]
Напряжение эмитер-коллектор Vces [V]
Pабочие параметры
Применение
Данные по каталогу
MG400V2YS60A
400
1700
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • выводы изолированны от корпуса, высокотемпературные
    		•  коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG400V2YS60A.pdf
    MG600Q2YS60A
    600
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • выводы изолированны от корпуса, высокотемпературные
    		•  коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG600Q2YS60A.pdf
    MG800J2YS50A
    800
    600
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		•  коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG800J2YS50A.pdf