ELTRON
 


Модули IGBT 3 поколения
Тип
Ток коллектора Ic [A]
Напряжение эмитер-коллектор Vces [V]
Pабочие параметры
Применение
Данные по каталогу
MG50J2YS50
50
600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG50J2YS50.pdf
    MG50J6ES50
    50
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG50J6ES50.pdf
    MG75J2YS50
    75
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG75J2YS50.pdf
    MG75J6ES50
    75
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG75J6ES50.pdf
    MG150J2YS50

    150
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG150J2YS50.pdf
    MG200J2YS50

    200
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG200J2YS50.pdf
    MG300J2YS50
    300
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG300J2YS50.pdf
    MG300J1US51
    300
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG300J1US51.pdf
    MG400J1US51
    400
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 2.7 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG400J1US51.pdf