ELTRON
 


Модули IGBT серии 2xPLUS
Тип
Ток коллектора Ic [A]
Напряжение эмитер-коллектор Vces [V]
Pабочие параметры
Применение
Данные по каталогу
MG100Q2YS65H
100
1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG100Q2YS65H.pdf
    MG150Q2YS65H
    150
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG150Q2YS65H.pdf
    MG200Q2YS65H
    200
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG200Q2YS65H.pdf
    MG400Q2YS65H
    4600
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG400Q1US65H.pdf