ELTRON
 


Модули IGBT серии 2 усовершенствованные

Тип
Ток коллектора Ic [A]
Напряжение эмитер-коллектор Vces [V]
Pабочие параметры
Применение
Данные по каталогу
MG8Q6ES42
8
1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG8Q6ES42.pdf
    MG15J6ES40
    15
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.5 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG15J6ES40.pdf
    MG15Q6ES42
    15
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG15Q6ES42.pdf
    MG25J6ES40
    25
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.5 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG25J6ES40.pdf
    MG25J6ES42
    25
    600
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.5 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG25J6ES42.pdf
    MG25Q2YS40
    25
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.5 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG25Q2YS40.pdf
    MG25Q6ES42
    25
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG25Q6ES42.pdf
    MG50Q2YS40
    50
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG50Q2YS40.pdf
    MG50Q6ES40
    50
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG50Q6ES40.pdf
    MG75Q6ES40
    75
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG75Q6ES40.pdf
    MG100Q2YS42
    100
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG100Q2YS42.pdf
    MG200Q1US41
    200
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG200Q1US41.pdf
    MG200Q2YS40
    200
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG200Q2YS40.pdf
    MG300Q1US41
    300
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей MG300Q1US41.pdf
    MG400Q1US41
    400
    1200
  • 6 транзисторов IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 4.0 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG400Q1US41.pdf