ELTRON
 


Модули IGBT серии PLUS

Тип
Ток коллектора Ic [A]
Напряжение эмитер-коллектор Vces [V]
Pабочие параметры
Применение
Данные по каталогу
MG50Q2YS50
78
1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG50Q2YS50.pdf
    MG752YS50
    100
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG75Q2YS50.pdf
    MG100Q2YS50
    150
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG100Q2YS50.pdf
    MG100Q2YS51
    150
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG100Q2YS51.pdf
    MG150Q2YS50
    200
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG150Q2YS50.pdf
    MG150Q2YS51
    200
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG150Q2YS51.pdf
    MG200Q1US51
    300
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG200Q1US51.pdf
    MG200Q2YS50
    300
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG200Q2YS50.pdf1
    MG300Q1US51
    400
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG300Q1US51.pdf1
    MG300Q2YS50
    400
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG300Q2YS50.pdf
    MG400Q1US51
    520
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG400Q1US51.pdf
    MG600Q1US51
    600
    1200
  • 2 транзистора IGBT в одном корпусе
  • используются кремниевые транзисторы с N-каналом
  • высокая входная импеданция
  • высокая частота коммутации tf= 0.3 ľs (max)
  • низкое напряжение насыщения VCE(sat) = 3.6 В (max)
  • выводы изолированны от корпуса
    		• коммутация сигналов большой мощности, устройства контроля работы электродвигателей
    MG600Q1US51.pdf