ELTRON - Toshiba

Moduły IPM typu kompakt

Typ	Sposób użycia	Prąd kolektora Ic [A]	Napięcie emiter-kolektro Vces [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie	Dane katalogowe
	przełącznik	50	600	7 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.8 V (typowa) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG50J7CSB1W.pdf
	przerywacz	50	600			MIG50J7CSB1W.pdf
	przełącznik	50	1200	7 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.8 V (typowa) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG50Q7CSB1X.pdf
	przerywacz	40	1200			MIG50Q7CSB1X.pdf
	przełącznik	75	600	7 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.8 V (typowa) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG75J7CSB1W.pdf
	przerywacz	50	600			MIG75J7CSB1W.pdf
	przełącznik	75	1200	7 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.8 V (typowa) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG75Q7CSB1X.pdf
	przerywacz	40	1200			MIG75Q7CSB1X.pdf
	przełącznik	100	600	7 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.9 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG100J7CSB1W.pdf
	przerywacz	30	600			MIG100J7CSB1W.pdf
MIG100Q7CSB1X	przełącznik	100	1200	6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia CE(sat) = 2.4 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL
	przełącznik	150	600	7 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.7 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG150J7CSB1W.pdf
	przerywacz	75	600			MIG150J7CSB1W.pdf
MIG150Q7CSB1X	przełącznik	150	1200	6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.4 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG150Q7CSB1X.pdf
MIG200J6CMB1W	przełącznik	200	600	6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.0 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG200J6CMB1W.pdf
MIG200Q2CSB1X	przełącznik	200	1200	2 tranzystory IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.0 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG200Q2CSB1X.pdf
MIG300J2CSB1W	przełącznik	300	600	2 tranzystory IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.9 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG300J2CSB1W.pdf
MIG300Q2CMB1X	przełącznik	300	1200	2 tranzystory IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.9 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG300Q2CMB1X.pdf
MIG400J2CSB1W	przełącznik	400	600	2 tranzystory IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 1.9 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG400J2CSB1W.pdf
MIG400Q2CMB1X	przełącznik	400	1200	2 tranzystory IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.4 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG400Q2CMB1X.pdf
MIG600J2CMB1W	przełącznik	600	600	2 tranzystory IGBT w jednej obudowie zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym niska rezystancja termiczna niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.1 V (max) wyprowadzenia izolowane od obudowy zgodność ze standardem UL	przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników	MIG600J2CMB1W.pdf