| Typ |
Prąd kolektora
Ic [A] |
Napięcie
emiter-kolektro
Vces [V] |
Parametry robocze |
Zastosowanie |
Dane katalogowe
 |
| MP6750 |
10 |
600 |
6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
wyprowadzenia izolowane od obudowy
niskie napięcie nasycenia
duże szybkości przełączania
|
przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników |
|
| MP6750 |
15 |
600 |
6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
wyprowadzenia izolowane od obudowy
niskie napięcie nasycenia
duże szybkości przełączania |
przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy
silników |
|
| MP6752 |
20 |
600 |
6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
wyprowadzenia izolowane od obudowy
niskie napięcie nasycenia
duże szybkości przełączania |
przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników |
|
| MP6757 |
25 |
600 |
6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
wyprowadzenia izolowane od obudowy
niskie napięcie nasycenia
duże szybkości przełączania |
przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy
silników |
|
