ELTRON
sklep.eltron.pl polski
angielski
rosyjski
 
 


Moduły IGBT 3-generacji
Typ
Prąd kolektora
Ic [A]
Napięcie
emiter-kolektro
Vces [V]
Parametry robocze
Zastosowanie
Dane katalogowe
MG50J2YS50
50
600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG50J2YS50.pdf
    MG50J6ES50
    50
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG50J6ES50.pdf
    MG75J2YS50
    75
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG75J2YS50.pdf
    MG75J6ES50
    75
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG75J6ES50.pdf
    MG150J2YS50

    150
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG150J2YS50.pdf
    MG200J2YS50

    200
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG200J2YS50.pdf
    MG300J2YS50
    300
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG300J2YS50.pdf
    MG300J1US51
    300
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG300J1US51.pdf
    MG400J1US51
    400
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 2.7 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy

    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG400J1US51.pdf