| Typ |
Prąd kolektora
Ic [A] |
Napięcie
emiter-kolektro
Vces [V] |
Parametry robocze |
Zastosowanie |
Dane katalogowe
 |
| MG100Q2YS65H |
100 |
1200 |
2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
wysoka impedancja wejściowa
wyprowadzenia izolowane od obudowy |
przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników |
|
| MG150Q2YS65H |
150 |
1200 |
2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
wysoka impedancja wejściowa
wyprowadzenia izolowane od obudowy |
przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy
silników |
|
| MG200Q2YS65H |
200 |
1200 |
2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
wysoka impedancja wejściowa
duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
wyprowadzenia izolowane od obudowy |
przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników |
|
| MG400Q2YS65H |
4600 |
1200 |
2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
wysoka impedancja wejściowa
duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
wyprowadzenia izolowane od obudowy |
przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy
silników |
|
