ELTRON
sklep.eltron.pl polski
angielski
rosyjski
 
 


Moduły IGBT serii 2 ulepszonej

Typ
Prąd kolektora
Ic [A]
Napięcie
emiter-kolektro
Vces [V]
Parametry robocze
Zastosowanie
Dane katalogowe
MG8Q6ES42
8
1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG8Q6ES42.pdf
    MG15J6ES40
    15
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.5 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG15J6ES40.pdf
    MG15Q6ES42
    15
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG15Q6ES42.pdf
    MG25J6ES40
    25
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.5 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG25J6ES40.pdf
    MG25J6ES42
    25
    600
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.5 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG25J6ES42.pdf
    MG25Q2YS40
    25
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.5 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG25Q2YS40.pdf
    MG25Q6ES42
    25
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG25Q6ES42.pdf
    MG50Q2YS40
    50
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG50Q2YS40.pdf
    MG50Q6ES40
    50
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG50Q6ES40.pdf
    MG75Q6ES40
    75
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG75Q6ES40.pdf
    MG100Q2YS42
    100
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG100Q2YS42.pdf
    MG200Q1US41
    200
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG200Q1US41.pdf
    MG200Q2YS40
    200
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG200Q2YS40.pdf
    MG300Q1US41
    300
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników MG300Q1US41.pdf
    MG400Q1US41
    400
    1200
  • 6 tranzystorów IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 4.0 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG400Q1US41.pdf