ELTRON
sklep.eltron.pl polski
angielski
rosyjski
 
 


Moduły IGBT serii PLUS

Typ
Prąd kolektora
Ic [A]
Napięcie
emiter-kolektro
Vces [V]
Parametry robocze
Zastosowanie
Dane katalogowe
MG50Q2YS50
78
1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG50Q2YS50.pdf
    MG752YS50
    100
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG75Q2YS50.pdf
    MG100Q2YS50
    150
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG100Q2YS50.pdf
    MG100Q2YS51
    150
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG100Q2YS51.pdf
    MG150Q2YS50
    200
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG150Q2YS50.pdf
    MG150Q2YS51
    200
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG150Q2YS51.pdf
    MG200Q1US51
    300
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG200Q1US51.pdf
    MG200Q2YS50
    300
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG200Q2YS50.pdf1
    MG300Q1US51
    400
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG300Q1US51.pdf1
    MG300Q2YS50
    400
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG300Q2YS50.pdf
    MG400Q1US51
    520
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG400Q1US51.pdf
    MG600Q1US51
    600
    1200
  • 2 tranzystory IGBT w jednej obudowie
  • zastosowano tranzystory krzemowe o kanale N wzbogaconym
  • wysoka impedancja wejściowa
  • duże szybkości przełączania tf= 0.3 ľs (max)
  • niskie napięcie nasycenia VCE(sat) = 3.6 V (max)
  • wyprowadzenia izolowane od obudowy
    		•  przełączanie sygnałów dużej mocy, układy kontroli pracy silników
    MG600Q1US51.pdf