ELTRON - Semikron - Struktury półprzewodnikowe

Struktury półprzewodnikowe

Diody zabezpieczające

Typ	Napięcie pracy V_RRM V	Prąd w kierunku przewodzenia I_F T_s=80°C T_vj=150°C A	Napęcie w kierunku przewodzenia V_F T_vj=25°C V	Prąd w kierunku przewodzenia I_F T_vj=25°C A	Wartość impulsu przełączającego Q_RR T_vj=125°C µC	Prąd nasyceniaI_FSM T_vj=150°C 10 ms A
CAL szybkie
600 V
SKCD 06 C 060 I3	600	15	1,35	10	0,7	-
SKCD 09 C 060 I3	600	20	1,35	15	1,2	100
SKCD 18 C 060 I3	600	30	1,35	25	2,5	200
SKCD 31 C 060 I3	600	50	1,35	50	3,3	440
SKCD 47 C 060 I3	600	80	1,35	85	5,5	720
SKCD 61 C 060 I3	600	100	1,35	110	7	1000
SKCD 81 C 060 I3	600	150	1,35	155	8,5	1260
SKCD 121 C 060 I3	600	210	1,35	245	10,7	2100
1200 V
SKCD 06 C 120 I3	1200	10	2	5	-	-
SKCD 11 C 120 I3	1200	15	2	10	-	-
SKCD 18 C 120 I3	1200	25	2	15	2,7	180
SKCD 23 C 120 I3	1200	30	2	25	3,7	250
SKCD 31 C 120 I3	1200	40	2	35	4,5	350
SKCD 47 C 120 I3	1200	55	2	55	8	550
SKCD 61 C 120 I3	1200	75	2	70	11	720
SKCD 81 C 120 I3	1200	100	2	100	15	900
SKCD 121 C 120 I3	1200	150	2	155	-	-
1700 V
SKCD 47 C 170 I	1700	55	2,05	55	15	550
SKCD 61 C 170 I	1700	75	2,05	75	19	720
CAL duża integracja
600 V
SKCD 04 C 060 I HD	600	10	1,35	7	0,89	-
SKCD 06 C 060 I HD	600	20	1,35	12	0,93	95
SKCD 16 C 060 I HD	600	50	1,35	37	5,64	320
SKCD 24 C 060 I HD	600	75	1,35	60	7,8	395
SKCD 42 C 060 I HD	600	100	1,35	110	14	810
SKCD 61 C 060 I HD	600	150	1,35	160	22	1080
SKCD 81 C 060 I HD	600	200	1,35	230	32	1310
1200 V
SKCD 06 C 120 I HD	1200	12	1,5	5	1,4	55
SKCD 11 C 120 I HD	1200	20	1,5	12	3,3	125
SKCD 14 C 120 I HD	1200	25	1,5	15	4,2	170
SKCD 18 C 120 I HD	1200	28	1,5	20	5	200
SKCD 31 C 120 I HD	1200	45	1,5	45	10	480
SKCD 47 C 120 I HD	1200	70	1,5	70	12	640
SKCD 61 C 120 I HD	1200	90	1,5	90	18	900
SKCD 81 C 120 I HD	1200	120	1,5	130	23	1100
1700 V
SKCD 47 C 170 I HD	1700	75	1,73	75	19	650
SKCD 61 C 170 I HD	1700	100	1,73	100	26	710
SKCD 81 C 170 I HD	1700	150	1,73	150	44	1070

Diody

Typ	Napięcie pracy V_RRM V	Prąd w kierunku przewodzenia I_F(DC) T_s=80°C T_vj=150°C A	Prąd nasycenia I_FSM T_vj=150°C 10 ms A	Współczynnik I²t T_vj=150°C 10 ms A²t	Czas przełączania t_rr T_vj=25°C µs
Kwadratowe
1600 V
SKR Tabl. 3,5 Qu	1600	25	-	-	-
SKR Tabl. 4,2 Qu	1600	35	270	360	9
SKR Tabl. 5,6 Qu	1600	50	450	1020	10
SKR Tabl. 6,2 Qu	1600	65	-	-	10
SKR Tabl. 7,0 Qu	1600	75	-	-	11
SKR Tabl. 8,9 Qu	1600	140	1380	9520	12
SKR Tabl. 10,3 Qu	1600	170	-	-	14
SKR Tabl. 12,4 Qu	1600	235	-	-	14
SKR Tabl. 15,2 Qu	1600	330	-	-	14
SKR Tabl. 18,2 Qu	1600	380	5000	-	16

Tyrystory

Typ	Napięcie pracy V_RRM V	Prąd w kierunku przewodzenia I_T(DC) T_c=80°C T_vj=130°C A	Prąd nasycenia I_TSM T_vj=130°C 10 ms A	Współczynnik I²t T_vj=130°C 10 ms A²t	Czas przełączania t_q T_vj=130°C µs	Prąd bramki I_GT T_vj=25°C mA	Napięcie na bramce V_GT T_vj=25°C V
Kwadratowe
Bramka narożna
SKT Tabl. 5,6 Qu RG bond.	1600	60	340	575	150	100	1,98
SKT Tabl. 7,0 Qu RG bond.	1600	75	450	1012	150	100	1,98
SKT Tabl.7,0 Qu RG sold.	1600	75	450	1012	150	100	1,98
SKT Tabl. 8,9 Qu RG bond.	1600	105	1000	5000	150	100	1,98
SKT Tabl. 8,9 Qu RG sold.	1600	105	1000	5000	150	100	1,98
SKT Tabl. 10,3 Qu RG bond.	1600	125	1250	7810	150	100	1,98
SKT Tabl. 10,3 Qu RG sold.	1600	125	1250	7810	150	100	1,98
SKT Tabl. 12,4 Qu RG bond.	1600	165	1800	16200	150	100	1,98
SKT Tabl. 12,4 Qu RG sold.	1600	165	1800	16200	150	100	1,98
Bramka centralna
SKT Tabl. 7,5 Qu ZG bond	1600	80	450	1012	150	100	1,98
SKT Tabl. 7,5 Qu ZG sold.	1600	80	450	1012	150	100	1,98
SKT Tabl. 8,9 Qu ZG bond.	1600	105	1000	5000	150	100	1,98
SKT Tabl. 8,9 Qu ZG sold.	1600	105	1000	5000	150	100	1,98
SKT Tabl. 10,3 Qu ZG bond.	1600	125	1250	7810	150	100	1,98
SKT Tabl. 10,3 Qu ZG sold.	1600	125	1250	7810	150	100	1,98
SKT Tabl. 12,4 Qu ZG sold.	1600	165	1800	16200	150	100	1,98
SKT Tabl. 12,4 Qu ZGH sold.	2000	165	-	-	-	100	1,98
SKT Tabl. 15,2 Qu ZG bond.	1600	215	3200	51200	150	100	1,98
SKT Tabl. 18,2 Qu ZG bond.	1600	250	5000	125000	150	100	1,98