ELTRON - Mitshubishi electric

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz
wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT
zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe

falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

Prąd roboczy układu I(A) = 10A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM10CSJ060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM10CZF120	1200
PM10RSH120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 15A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM15CSJ060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM15CZF120	1200
PM15RSH120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 20A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM20CSJ060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia

Prąd roboczy układu I(A) = 25A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM25RSB120V	1200	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM25RSK120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 30A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM30CSJ060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM30RSF060	600

Prąd roboczy układu I(A) = 50A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM50RSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM50RSK060	600
PM50RSA120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 75A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM50RSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM75RSK060	600
PM75CSA120	1200
PM75DSA120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 100A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM100CSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM100RSA060	600
PM100CSA120	1200
PM100DSA120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 150A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM150CSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM150RSA060	600
PM150DSA120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 200A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM200CSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM200DSA060	600
PM200RSA060	600
PM200DSA120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 300A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM300CSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM300DSA120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 400A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM400CSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin+ przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM400DSA120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 600A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM600DSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM600HSA120	1200

Prąd roboczy układu I(A) = 800A
Typ	Napięcie [V]	Zintegrowane funkcje i parametry robocze	Zastosowanie
PM800HSA060	600	przełączanie sygnałów dużej mocy przy częstotliwości do 20 kHz wbudowany układ sterowania bramką tranzystora IGBT zintegrowana dioda zabezpieczająca tranzystor IGBT (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT) obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe	falowniki, zasilacze UPS, układy kontroli serwomechanizmów, zasilacze na wysokie napięcia
PM800HSA120	1200