ELTRON
sklep.eltron.pl polski
angielski
rosyjski
 
 

Moduły IPM przeznaczone do serwomechanizmów firmy MITSUBISHI

Prąd roboczy układu I(A) = 50A

Typ

Napięcie [V]

Zintegrowane funkcje i parametry robocze

Zastosowanie

PM50CBS060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor ( osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 3.7 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM50CSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające ( przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 3.7 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM50RSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM50RSD120

1200
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 18.5/ 22.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

Prąd roboczy układu I(A) = 75A

Typ

Napięcie [V]

Zintegrowane funkcje i parametry robocze

Zastosowanie

PM75CBS060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 5.5/ 7.5 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM75CSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 5.5/ 7.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM75RSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 5.5/ 7.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

Prąd roboczy układu I(A) = 100 A

Typ

Napięcie [V]

Zintegrowane funkcje i parametry robocze

Zastosowanie

PM100CBS060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM100CSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM100RSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM100RSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 11 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM100RSD120

1200
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 18.5/ 22 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

Prąd roboczy układu I(A) = 150 A

Typ

Napięcie [V]

Zintegrowane funkcje i parametry robocze

Zastosowanie

PM150CBS060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 15 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM150CSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 15/ 18.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM150RSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 15/ 18.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM100RSD120

1200
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 30 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

Prąd roboczy układu I(A) = 200 A

Typ

Napięcie [V]

Zintegrowane funkcje i parametry robocze

Zastosowanie

PM200CBS060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 18.5/ 22 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM200CSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 22 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM200RSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 15/ 18.5 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

Prąd roboczy układu I(A) = 300 A

Typ

Napięcie [V]

Zintegrowane funkcje i parametry robocze

Zastosowanie

PM300CBS060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 30 kW w serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM300CSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 30 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników

PM300RSD060

600
  • Wykorzystanie modułów IGBT 4-tej generacji, dla których szerokość ścieżki wynosi 1µm
  • zintegrowana dioda nowego typu (wygładzona charakterystyka zwrotna) zabezpieczająca tranzystor (osobno dla każdego zawartego w układzie IGBT)
  • układ kontroli temperatury (pomiar na samym chip'ie (IGBT)
  • zintegrowany monolityczny układ sterowania bramką tranzystora IGBT
  • różnego typu układy zabezpieczające (przepięciowe, temperaturowe, przeciążeniowe)
  • obudowa płaska, izolowana, wyprowadzenia typu pin + przyłącza śrubowe (zgodne ze standardem złącz 3-generacji - seria S)

poziom zakłóceń dla obciążeń rzędu 30 kW w standardowych falownikach, serwomechanizmach oraz układy kontroli silników